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“台积电使用2nm进步神速或使用绕栅晶体管技术”

来源:联合早报中文网作者:邵湖心更新时间:2021-08-01 14:08:04阅读:

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西班牙贝莉芬【科技在线】

近日,在苹果公司发布新一代ipadair,搭载台湾积体电路制造5纳米工艺a14解决方案后,台湾积体电路制造再次引起业界关注。 据国外媒体报道,台湾积体电路制造在5纳米工艺中大放异彩,下一步将把要点迅速发展到3纳米和2纳米工艺。

台湾积体电路制造使用2纳米迅速进步,或使用带栅极的晶体管技术。

上个月,台湾积体电路制造在技术论坛上公布了5nm、4nm、3nm工艺的新进展,表明3nm工艺的研制正在按计划进行,并将继续使用成熟的鳍形场效应晶体管技术。 但是,最近,比3nm更先进的2nm工艺也逐渐浮出水面。

产业链信息人士表示,台湾积体电路制造目前2纳米工艺进展迅速,超出预期。 2nm采用的不是成熟的场效应晶体管技术( finfet ),而是栅极周围晶体管技术) gaa )。

在上个月的科技论坛上,台湾积体电路制造副总裁kevinzhang也在录制视频中表示,新的台湾研发中心将运营先进的生产线,投入8000名工程师,克服2纳米工艺的技术难题。

标题:“台积电使用2nm进步神速或使用绕栅晶体管技术”

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